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PY32F003 GPIO速度对LED亮度影响

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实测发现PY32F003的GPIO速度对LED灯的亮度有影响。

硬件连接如下：
LED正极接VCC，负极串一个10欧的电阻到IO口。IO输出为高电平灯灭，IO输出为低电平灯亮。

在调试中发现，当IO口的速度配置为GPIO_SPEED_FREQ_LOW时，LED亮度最低；把速度配置为GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH时，LED亮度最亮。

上下拉电阻对休眠功耗的影响

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调试休眠电流，系统启动直接休眠的电流是100uA；程序正常运行后再进入休眠的电流由200uA。经过排查是IO口配置的上下拉电阻引起的漏电流：配置了上拉电阻休眠时输出低电平，配置了下拉电阻休眠时输出高电平。把IO口更改为无上下拉电阻后，休眠电流正常。

对于IO口输出，若无特殊需求，可以禁用上下拉电阻。对于特定接口比如串口，这种有要求上拉的，需要打开上拉电阻，在休眠之前一定要上拉功能关闭，并配置为高阻输入模式，降低休眠电流。

设置Jlink ob序列号

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参考链接：https://blog.csdn.net/zhuoqingjoking97298/article/details/136064998

目前在网上找到的Jlink ob固件有两个，一个是旧版固件LED灯可以正常显示，但是使用时会提示固件升级；另一个新版固件LED灯没有指示，使用时不会提示固件升级。

先安装Jlink 6.14以前的版本，此版本支持写入SN。然后在Jlink Command输入以下命令写入SN，并添加相关功能：

在JLINK的command下依次运行如下命令 （*注意区分大小写*）
Exec SetSN=XXXXXXXX ;添加SN
Exec AddFeature GDB ;添加GDB
Exec AddFeature RDI ;添加RDI
Exec AddFeature FlashBP ;添加FlashBP
Exec AddFeature FlashDL ;添加FlashDL
Exec AddFeature JFlash ;添加JFlash
Exec AddFeature RDDI ;添加RDDI


在J-Link Commander 窗口依次输入以上命令回车确定，每个会出现OK，即添加激活成功，其中SN码任意。
例如：
Exec SetSN=26932585 回车
Exec AddFeature GDB
Exec AddFeature RDI
Exec AddFeature FlashBP
Exec AddFeature FlashDL
Exec AddFeature JFlash

转载——推挽与开漏输出

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原文链接：https://wiki-power.com/%E6%8E%A8%E6%8C%BD%E4%B8%8E%E5%BC%80%E6%BC%8F%E8%BE%93%E5%87%BA/

一般来说，微控制器的引脚都会有一个驱动电路，可以配置不同类型的数字和模拟电路接口。输出模式一般会有推挽与开漏输出。

推挽输出

推挽输出（Push-Pull Output），故名思意能输出两种电平，一种是推（拉电流，输出高电平），一种是挽（灌电流，输出低电平）。推挽输出可以使用一对开关来实现，在芯片中一般使用晶体管 / 场效应管。

如图，分别是推和挽，详细过程是：

  • 推：当输入信号为低电平时，P-MOS 导通，电流从 VDD 经过它到输出引脚。此时 N-MOS 截止。
  • 挽：当输入信号为高电平时，N-MOS 导通，电流从输出引脚经过它到 GND。此时 P-MOS 截止。

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普冉MCU在MDK使用Jlink下载报错

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普冉MCU在MDK中选择Jlink下载时，出现如上提示。

配置好Jlink后，下载程序会提示“***JLink Error: ARM7 is not supported via SWD”，选择的MCU类型为ARM7，不支持SWD模式。

解决此问题需要手动修改MDK工程目录下面的JLinkSettings.ini文件，修改内容如下

Override = 1
Device="Cortex-M0"

修改完成后，使用Jlink下载程序正常

转载——CH579(M0内核)中断向量表偏移处理

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原文链接：https://blog.csdn.net/xxdx_admin/article/details/122369753

通常情况下,为了产品后续的升级,程序都会分为两部分Bootloader+App,因为有两个程序,所以需要对中断向量表进行处理,否则,当程序已经跳转到app中运行,当中断产生的时候,响应函数仍然是Bootloader的中断函数,而不是app的
在STM32F103 F3内核上是可以配置寄存器SCB->VTOR设置中断向量表偏移,CH579是M0内核,并不支持这样操作,中断向量表位置固定在(地址0x00000000)位置上

解决思路:

  1. 将中断向量表重映射到RAM(内存)
  2. 根据当前运行程序将FLASH中的向量表拷贝到RAM中

解决步骤

  1. 将地址0x00000000的中断向量表中的全部中断函数都设置为同一个函数,用于映射
  2. 编写映射函数
  3. 修改RAM配置信息
  4. 根据前当前运行的程序拷贝中断向量表到RAM

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华大M0中断向量重映射

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参考链接：
https://blog.csdn.net/pilihuo182175954/article/details/124856479
https://blog.csdn.net/qq_58099085/article/details/131813593
https://bbs.21ic.com/icview-3214976-1-1.html
https://blog.csdn.net/weixin_38848977/article/details/72523561
https://shatang.github.io/2020/08/12/M0%E7%9A%84%E4%B8%AD%E6%96%AD%E5%90%91%E9%87%8F%E8%A1%A8%E9%87%8D%E6%98%A0%E5%B0%84/

方法一，华大M0内核的CPU内核为M0+，支持中断向量偏移寄存器。根据华大官方IAP例程，修改SCB->VTOR寄存器即可

方法二、直接在Boot程序的中断向量函数跳转到APP的中断函数。参考链接1、2

方法三、参考STM32F0把中断向量表映射到内存上华大MCU不支持此方法

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转载——stm32下了解全局变量、局部变量、堆、栈

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原文链接：https://blog.csdn.net/uvyou/article/details/110497207

对分区的了解
在一个STM32程序代码中，从内存高地址到内存低地址，依次分布着栈区、堆区、全局区（静态区）、常量区、代码区，其中全局区中高地址分布着.bss段，低地址分布着.data段，其分布图如下： 继续阅读 →

转载——STM32 内存分配解析及变量的存储位置

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原文链接：https://cloud.tencent.com/developer/article/1663070

内存映射

在一些桌面程序中，整个内存映射是通过虚拟内存来进行管理的，使用一种称为内存管理单元(MMU)的硬件结构来将程序的内存映射到物理RAM。在对于 RAM 紧缺的嵌入式系统中，是缺少 MMU 内存管理单元的。因此在一些嵌入式系统中，比如常用的 STM32 来讲，内存映射被划分为闪存段（也被称为Flash,用于存储代码和只读数据)和RAM段，用于存储读写数据。

STM32 的 Flash 和 RAM 地址范围

笔者标题所说的内存是指 STM32 的 Flash 和 RAM，下图是 ARM Cortex M3 的地址映射图：

从图中我们可以看到 RAM 地址是从 0x2000 0000 开始的，Flash地址是从 0x0800 0000 开始的，笔者将在下文中着重对这两部分进行剖析。

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